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据媒体报道，SK海力士8月21日宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。SK海力士表示，将从明年上半年开始投入HBM3E量产，以此夯实在面向AI的存储器市场中独一无二的地位。

HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，它突破了内存容量与带宽瓶颈，可以为GPU提供更快的并行数据处理速度，打破“内存墙”对算力提升的桎梏，被视为GPU存储单元理想解决方案。AI服务器对带宽提出了更高的要求，而HBM基本是AI服务器的标配，超高的带宽让HBM成为了高性能GPU的核心组件。集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。从产业链上看，HBM市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益。

民生证券指出，AI催化HBM高景气，需求快速增长，目前海力士占据绝对份额，相关代理商环节有望受益，同时HBM需求旺盛，也将拉动上游设备及材料用量需求提升。建议关注：1）材料：雅克科技、联瑞新材、华海诚科、神工股份等；2）设备：北方华创、中微公司等；3）代理商：香农芯创、雅创电子、商络电子等。

本文源自：金融界

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